ID: 51257
Цена: 64.80 c ндс
Гарантия: 12 мес.
Нет в наличии
Латентность (CL): CL11
Напряжение питания: 1.5 В (DDR3)
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Объем модуля памяти: 4 Гб
Activate to Precharge Delay (tRAS): 11
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Стандарт памяти: PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)
Частота функционирования: 1600 МГц
Тип оборудования: Модуль памяти SO-DIMM DDR3
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Row Precharge Delay (tRP): 11
Количество ранков: Single rank
Количество чипов каждого модуля: 8 чипов
Производитель оставляет за собой право вносить изменения в характеристики и комплектацию товара без предварительного уведомления. При совершении покупки уточняйте параметры, имеющие для Вас большую значимость.